Luận án Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần
1. Tính cấp thiết của luận án
Bộ lọc thông dải siêu cao tần là một thành phần quan trọng không thể thiếu trong
các hệ thống thu, phát vô tuyến. Vai trò của bộ lọc là loại bỏ các tín hiệu có tần số
không mong muốn, chỉ cho phép tín hiệu có tần số mong muốn truyền qua. Ngoài ra,
các bộ lọc hốc cộng hưởng còn là các khối chủ yếu tạo thành các bộ Duplexer,
Coupler và các bộ chọn kênh, chúng thường đứng giữa ăng ten và các bộ khuếch đại
siêu cao tần trong hệ thống vô tuyến. Không chỉ vậy, các hốc cộng hưởng nối tầng và
độc lập có thể sử dụng cho việc chống nhiễu, là thiết bị lý tưởng cho việc chống nhiễu
xuyên điều chế máy phát. Tính chất chọn lọc của máy thu có thể tăng cao bằng cách
ứng dụng việc lọc tín hiệu của các hốc cộng hưởng, bởi vậy có thể khử hài và giải
quyết các vấn đề về quá tải.
Các đặc tính chủ yếu của bộ lọc theo [1] như: dải thông, hệ số phản xạ, hệ số tổn
hao trong dải thông, độ gợn dải thông, độ dốc của bộ lọc. Tùy theo yêu cầu về kỹ
thuật, mô hình thiết kế, hình dạng bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần là khác nhau.
Theo nhóm tác giả Ralph Levy [2], bộ lọc có thể có dạng cài răng lược, bộ lọc kẽ,
đường truyền ghép song song, dạng chữ nhật và tròn, trở kháng nhảy bước. Các kiểu
cấu hình đường truyền gồm kiểu ống dẫn sóng, trụ cộng hưởng điện môi, dạng đường
đồng trục, sóng phát1 (evanescent-mode), các dạng mạch in như vi dải, mạch dải, đế
treo. So sánh về đặc điểm hệ số phẩm chất, dải tần làm việc, kích thước bộ lọc của
các loại cấu trúc trên đã được nêu trong [3], công nghệ hốc cộng hưởng dạng đồng
trục phù hợp với ứng dụng trong các trạm thu phát của mạng di động.
Các dạng mô hình chủ yếu gồm ba khối nối tiếp (Cascaded Triplet) hoặc bốn khối
nối tiếp (Cascaded Quadruplet) được sử dụng để tổng hợp bộ lọc [4]. Hình dạng của
hốc cộng hưởng thường có hai dạng cơ bản: Dạng hình chữ nhật, trong đó, tất cả các
mode TE hoặc TM đều có thể tìm được bằng cách áp dụng các điều kiện đường biên
của trường điện từ; dạng hình trụ, trong đó, trường điện và từ phụ thuộc vào chiều dài
và bán kính của ống dẫn sóng hình trụ kết hợp với các điều kiện biên tại các vách, tần
số cộng hưởng của các mode TE và TM là khác nhau. Có một vài nhóm phương trình
tính toán đáp ứng và tổng hợp của bộ lọc gồm: Nhóm phương trình áp dụng cho các
bộ lọc hướng biên độ (Butterworth, Chebyshev, Elliptic, Chebyshev tổng quát
(Chebyshev loại II)), nhóm các phương trình pha tuyến tính áp dụng cho các bộ lọc
hướng pha (Bessel và Rhodes) [5].
Cấu tạo của bộ lọc hốc cộng hưởng bao gồm các hốc cộng hưởng được ghép lại
với nhau qua vách ngăn. Các cấu trúc vách ghép giữa hai hốc cộng hưởng cạnh nhau
đã được đánh giá, đo đạc hệ số ghép tương hỗ. Trong đó, giá trị ghép tương hỗ phụ
thuộc vào tỉ số giữa chiều rộng và chiều dài của vách [6], tạo thành các đường ghép
kiểu mang tính điện cảm. Sự hình thành lên các điểm không của hàm truyền (TZ0)
được giải thích trong [7], trong đó, hai hốc cộng hưởng không liền kề có thể ghép với
nhau tạo nên các điểm TZ0 ở bên dưới hoặc bên trên của dải thông. Việc thiết kế các
TZ0 giúp tăng độ dốc của đặc tuyến truyền đạt của bộ lọc trong dải chắn. Liên kết
chéo có thể mang tính điện dung hoặc điện cảm, các cấu trúc vật lý của chúng cũng
được khảo sát trong [7, 8]. Lý thuyết và phương pháp tổng hợp bộ lọc biểu diễn dưới
dạng ma trận liên kết được tác giả Richard J. Cameron trình bày một cách chi tiết
trong [9]. Trong đó, bộ lọc bao gồm nhiều hốc cộng hưởng được ghép lại với nhau
theo đường liên kết chính hoặc liên kết chéo, năng lượng liên kết giữa các hốc được
biểu diễn bằng các hệ số liên kết tương hỗ giữa các hốc.
Tóm tắt nội dung tài liệu: Luận án Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI TRẦN THỊ THU HƯỜNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG Hà Nội - 2021 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI TRẦN THỊ THU HƯỜNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN Ngành: Kỹ thuật Viễn thông Mã số: 9520208 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: GS.TS VŨ VĂN YÊM i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan rằng, các kết quả khoa học được trình bày trong quyển luận án này là kết quả nghiên cứu của bản thân tôi trong suốt thời gian làm nghiên cứu sinh và chưa từng xuất hiện trong công bố của các tác giả khác. Các kết quả nghiên cứu trong luận án là chính xác và trung thực. Hà Nội, ngày tháng năm 2021 Giảng viên hướng dẫn Tác giả luận án ii LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, tác giả xin bày tỏ lời cảm ơn sâu sắc và kính trọng đến thầy GS.TS Vũ Văn Yêm đã hướng dẫn và định hướng khoa học cho tôi trong suốt khóa học. Tác giả xin gửi lời cảm ơn chân thành nhất đến thầy PGS.TS. Nguyễn Xuân Quyền cùng các thành viên của RF Lab đã hỗ trợ và cùng tôi thực hiện một số công việc thiết kế trong luận án này. Tác giả xin trân trọng cảm ơn Ban Lãnh đạo, quý thầy cô và cán bộ trong Bộ môn Hệ thống Viễn thông, Viện Điện tử - Viễn thông và Phòng Đào tạo đã tạo các điều kiện thuận lợi về nơi học tập, nghiên cứu, các thủ tục hành chính và góp ý chuyên môn cho tôi trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Tác giả trân trọng cảm ơn Ban Giám hiệu Trường Đại học, Ban Lãnh đạo và các đồng nghiệp Khoa Điện tử - Trường Đại học Kinh tế Kỹ thuật Công nghiệp đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tác giả được tập trung nghiên cứu trong thời gian qua. Xin chân thành cảm ơn sự quan tâm, giúp đỡ, động viên của các đồng nghiệp, nhóm Nghiên cứu sinh – Viện Điện tử Viễn thông – Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã dành cho tôi. Cuối cùng, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến các thành viên trong gia đình của tôi. Những người đã luôn động viên tinh thần và giúp đỡ tôi trong suốt thời gian vừa qua. Đây cũng là động lực lớn nhất giúp tôi vượt qua những khó khăn và hoàn thành kết quả của luận án này. Tác giả luận án iii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN ...................................................................................................... i LỜI CẢM ƠN ........................................................................................................... ii MỤC LỤC ................................................................................................................ iii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT ........................................ vi DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ .................................................................................. x MỞ ĐẦU .................................................................................................................... 1 CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN .................................................................................... 10 1.1. Tổng quan về đặc tính của bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần . 10 Bộ tham số đặc tuyến của bộ lọc ................................................................... 10 Khảo sát các tham số về cơ khí và điều kiện môi trường .............................. 12 1.2. Phương pháp xây dựng bộ lọc thông dải từ bộ lọc thông thấp mẫu ............. 13 Định nghĩa chung .......................................................................................... 13 Xây dựng bộ lọc thông dải từ bộ lọc thông thấp mẫu ................................... 14 Nguyên tắc tổng hợp bộ lọc ........................................................................... 19 1.3. Quy trình thiết kế, mô phỏng bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần ............................................................................................................................ 19 1.4. Phương pháp tinh chỉnh, tối ưu bộ lọc hốc cộng hưởng .............................. 26 Phương pháp tinh chỉnh bằng lý thuyết về độ trễ nhóm ................................ 26 Phương pháp tinh chỉnh dựa vào tham số cực trị điện nạp ........................... 27 1.5. Kết luận chương 1 ........................................................................................... 29 CHƯƠNG 2. MÔ HÌNH HÓA VÀ CẤU TRÚC BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN ............................................................................ 30 2.1. Mô hình hóa hốc cộng hưởng ......................................................................... 30 Hốc cộng hưởng đơn ..................................................................................... 30 Ghép giữa hai hốc cộng hưởng ...................................................................... 32 Ghép chéo giữa hai hốc cộng hưởng không liền kề ...................................... 39 Tiếp điện cho bộ lọc hốc cộng hưởng (ghép vào/ra của bộ lọc) ................... 41 Mô hình tương đương của bộ lọc hốc cộng hưởng ....................................... 42 2.2. Mô hình hóa và thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng không khí ứng dụng trong máy thu phát LTE-A sử dụng hai đường ghép chéo kiểu C. ................................ 43 Tổng hợp bộ lọc hốc cộng hưởng LTE ......................................................... 43 Thiết kế, mô phỏng và đánh giá .................................................................... 45 iv 2.3. Thiết kế bộ Duplexer có hốc cộng hưởng lục giác ứng dụng trong trạm thu phát gốc LTE-A ...................................................................................................... 50 Phân tích, lựa chọn topo của bộ lọc ............................................................... 51 Phân tích thuộc tính và tính toán kích thước hốc cộng hưởng đơn. .............. 53 Mô phỏng bộ lọc LTE-A và duplexer ........................................................... 54 Thiết kế bộ lọc thông thấp đồng trục Band3 ................................................. 58 2.4. Chế tạo thử nghiệm bộ Duplexer, đo đạc và đánh giá ................................... 63 Chế tạo thử nghiệm, kết quả đo đạc .............................................................. 63 Đánh giá kết quả và thảo luận ....................................................................... 67 2.5. Kết luận chương 2 ........................................................................................... 68 CHƯƠNG 3. MỘT SỐ GIẢI PHÁP CẢI TIẾN CẤU TRÚC GHÉP GIỮA HAI HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN .................................... 70 3.1. Nghiên cứu đề xuất cải tiến cấu trúc ghép giữa hai hốc kề nhau ................ 70 Phân tích đánh giá ảnh hưởng của cấu trúc ghép điện từ .............................. 70 Đề xuất cải tiến cấu trúc ghép giữa hai hốc cộng hưởng liền kề ................... 72 Áp dụng trong thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng ............................................. 74 Đánh giá đề xuất ............................................................................................ 79 3.2. Nghiên cứu đề xuất cải tiến cấu trúc đường ghép kiểu C ............................. 79 Đề xuất cấu trúc ghép cải tiến ....................................................................... 80 Áp dụng trong thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng ............................................. 83 Nhận xét, đánh giá ......................................................................................... 90 3.3. Kết luận chương 3 ........................................................................................... 90 CHƯƠNG 4. CẢI TIẾN CẤU TRÚC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN CÔNG SUẤT LỚN ................................................................... 92 4.1. Phân tích về đặc tính chịu đựng công suất của bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần ..................................................................................................................... 92 Đặc điểm về khả năng chịu đựng công suất của đường truyền đồng trục ..... 92 Đánh giá yêu cầu về độ chịu đựng công suất trong máy thu phát sóng vô tuyến ................................................................................................................................. 93 Phân tích, tính toán thông số về khả năng chịu đựng công suất của bộ lọc (PH) ................................................................................................................................. 95 Tổng quan về các phương pháp thiết kế tăng độ chịu đựng công suất của bộ lọc ................................................................................................................................. 96 4.2. Đề xuất cấu trúc cải tiến đặc tính PH của bộ lọc .......................................... 97 Cấu trúc đề xuất. ............................................................................................ 97 v Quy trình thiết kế bộ lọc đạt PH mong muốn ................................................ 99 Áp dụng cấu trúc đề xuất trong thiết kế bộ lọc hốc eNodeB ...................... 100 Áp dụng cấu trúc đề xuất vào thiết kế bộ lọc hốc gNodeB ......................... 105 4.3. Kết luận chương 4 ......................................................................................... 112 KẾT LUẬN ........................................................................................................... 113 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO ............................................................ 116 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN ............. 124 PHỤ LỤC CÁC PHẦN TỬ TRONG BỘ DUPLEXER CHẾ TẠO THỬ ...... 125 vi DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT Từ viết tắt Nghĩa tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt BNC British Naval Connector Đầu nối BNC BW Bandwidth Băng thông CBW Coupling Bandwidth Băng thông ghép EM Electromagnetic Điện từ FBW Fractional Bandwidth Băng thông tương đối IL Insertion Loss Tổn hao do chèn LTE-A Long Term Evolution Advanced Mạng di động thế hệ 4.5 MEMS Microelectromechanical systems Hệ thống vi cơ điện tử MIMO Multi Input Multi Output Nhiều đầu vào nhiều đầu ra PH Power Handling Độ chịu đựng công suất RL Return Loss Suy hao phản xạ SMA SubMiniature version A Rắc nối loại nhỏ TNC Threaded Neill–Concelman Rắc nối có khía ren TZ Transimission Zero Điểm không của hàm truyền VNA Vector Network Analyzer Máy phân tích mạng vector vii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU a Chiều cao của đường kim loại nối giữa hai hốc cộng hưởng b Chiều dài của đường kim loại nối giữa hai hốc cộng hưởng d Đường kính của trụ cộng hưởng đồng trục sd Đường kính vít tinh chỉnh D Đường kính trong của hốc cộng hưởng (cavity) �⃗� Cường độ điện trường 0f Tần số trung tâm ig Điện kháng của phần tử cộng hưởng thứ i ... ators", 2010 Asia-Pacific Microwave Conference, Yokohama, Japan. [46] Z. Zakaria1, M. S. Jawad, N. Omar, A. R. Othman, V. R. Gannapathy (2013), “A Low-Loss Coaxial Cavity Microwave Bandpass Filter with Post-Manufacturing Tuning Capabilities”, International Journal of Engineering and Technology, Vol 5, pp. 4412-4422. [47] Andrei Muller, Pablo Soto, Vicente E.Boria (2017), “Design Procedure for Coaxial Combline Filters based on Segmentation and Space Mapping Stragies”, 2017 IEEE MTT-S International Conference on Numerical Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization for RF, Microwave, and Terahertz Applications (NEMO), Seville. [48] Muhammad Sufian Anwar and Hamid Râz Dhanyal (2018), “Design of S-Band Combline Coaxial Cavity Bandpass Filter”, 2018 15th International Bhurban Conference on Applied Sciences and Technology (IBCAST), Islamabad, Pakistan. [49] Muhamad Latif, Giuseppe Macchiarella and Farooq Mukhtar (2020), “A Novel Coupling Structure for Inline Realization of Cross-Coupled Rectangular Waveguide Filters”, IEEE Access, Vol.8, pp. 107527–107538. [50] Alexander Zakharov, Sergii Rozenko, and Michael Ilchenko (2018), “Two Types of Trisection Bandpass Filters With Mixed Cross-Coupling”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 28, no. 7. [51] Chi Wang and Kawthar A. Zaki (2001), "Analysis of Power Handling Capacity of Band Pass Filters", 2001 IEEE MTT-S International Microwave Sympsoium Digest, Phoenix, AZ, USA. [52] M. Yu (2007), “Power-Handling Capacity for RF Filter”, IEEE Microwave Magazine, Vol. 8, no. 5, pp. 88–97. [53] J. Monge, J. A. Ruiz-Cruz, S. Anza, C. Vicente, K. A. Zaki, J. R. Montejo-Garai, J. M. Rebollar, J. Gil, B. Gimeno and V. E. Boria (2009), "High Power Analysis and 121 Design of Dual-Mode Channel Filters", 2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Boston, MA, USA. [54] Piere Blondy and Dimitrios Peroulis (2013), “Handling RF Power: The Latest Advances in RF-MEMS Tunable Filters”, IEEE Microwave Magazine, Vol. 14, no. 1, pp. 24–38. [55] S. Saeedi, J. Lee and H. Sigmarsson (2016), “Prediction of power handling in tunable, high-Q, substrate-integrated, evanescentmode cavity bandpass filters”, Electronics Letters, Vol. 52, no. 10. [56] Trịnh Xuân Thọ*, Vũ Tuấn Anh, Dương Tuấn Việt (2020), “Nghiên Cứu Thiết Kế Bộ Lọc Thông Dải Sử Dụng Thanh Cộng Hưởng Chữ Nhật Cho Hệ Thống Thu/Phát Ra Đa Băng X”, Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 68. [57] Phan Thanh Giang (2009), “Tự động hóa quy trình thiết kế bộ lọc cho dải tần 4- 20GHz”, Luận văn thạc sĩ ngành Vật lý vô tuyến & Điện tử - Kỹ thuật, Trường ĐH Khoa học Tự nhiên - ĐH QH TPHCM [58] Vũ Văn Yêm, Nguyễn Xuân Quyền, Le Huy Hoang (2016), “Design and Implementation of An UHF Tunable Bandpass Filter Using Varactor-based Series Resonators”, Tạp chí Khoa học Công nghệ các trường kỹ thuật, số 113, trang 105– 111. [59] Võ Văn Phúc, Dương Tuấn Việt, Nguyễn Văn Hạnh, Trần Thị Trâm, Đinh Văn Trường, Lê Thị Trang, Cao Văn Vũ (2018), “Ứng dụng công nghệ ống sóng tích hợp vật liệu nền siw để thiết kế, chế tạo bộ lọc thông dải cho đài ra đa băng S”, Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018, trang 113–120. [60] Đỗ Văn Phương (2018), “Nghiên cứu nâng cao chất lượng bộ lọc thông dải siêu cao tần sử dụng công nghệ mạch vi dải ứng dụng cho các hệ thống vô tuyến”, Luận án tiến sĩ Ngành Kỹ thuật Điện tử, Học viện Kỹ thuật Quân sự, Hà Nội. [61] Robert E. Collin (2001), “Foundations for Microwave Engineering”, 2nd ed.: Wiley-IEEE Press. [62] David M.Pozar (2012), “Microwave Engineering”, Fourth Edition, JohnWiley & Sons, Inc. [63] A. Borji, D. Busuioc, S. Safavi-Naeini, and S.K. Chaudhuri (2002), "ANN and EM based models for fast and accurate modeling of excitation loops in combline-type 122 filters", 2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Seattle, WA, USA. [64] L. Matthew, L. Young, and E.M.T. Jones (1964), “Microwave Filters, Impedance- Matching Networks and Coupling Structures”, New York: McGraw-Hill. [65] I.C. Hunter, L.Billonet, B.Jarry and P.Guillon (2002), “Microwave filters applications and technology”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 50, no. 3, pp. 794–805. [66] Jerry C. Whitaker (2005), “The Electronics Handbook”, Taylor & Francis Group. [67] M. Hagensen (2010), “Narrowband Microwave Bandpass Filter Design by Coupling Matrix Synthesis”, Guided Wave Technology ApS, Hilleroed, Denmark. [68] Peter Martin, John Ness (1999), “Coupling Bandwidth and Reflected Group Delay Characterization of Microwave Bandpass Filters”, Applied Microwave & Wireless, pp. 86–98. [69] Ana Morán-López, Jorge A. Ruiz-Cruz (2015), “Optimization Method For The Design Of Microwave Filters Based On Sequential Stages,” Congresso de Métodos Numéricos em Engenharia. [70] Chetioui Mohammed Bouras Bouhafs, Bouhmidi Rachid, Benahmed Nasreddine (2018), “Design and Optimization of Microwave Coaxial Bandpass Filter based on Cauchy Method and Aggressive Space Mapping Technique,” International Journal Of Microwave And Optical Technology, vol. 13, no. 1, pp.40-50. [71] Profesional Line, Cavity band pass filter Brochure, truy cập lần cuối 04/2021, [72] Yasir Amer Al-Jawhar, Khairun Nidzam Ramli1, Aida Mustapha, Salama A. Mostafa, Nor Shahida Mohd Shah, And Montadar Abas Taher (2019), “Reducing PAPR With Low Complexity for 4G and 5G Waveform Designs”, IEEE Access, vol. 7, pp. 97673–97688. [73] Huawei Technologies Co.Ltd, Ed. (2021), "5G Network Planing and Rollout Engineer Training", tài liệu đào tạo cho các kỹ sư tại Hà Nội, Việt Nam. [74] Noorwijk (2003), “Multipaction design and test”, European Space Agency, The Netherlands, ECSS-E-20-01A. [75] Rucha A. Paradkar, Ian C. Hunter, Nutapong Somjit, Evaristo Musonda, Richard Parry, Mustafa S. Bakr (2019),“Investigation of Stored Energy Distribution in Filters Using K-Means Clustering Algorithm”, 2019 49th European Microwave 123 Conference (EuMC), 01-03 Oct 2019, Paris, France. IEEE , pp.396-399. ISBN 978- 2-87487-055-2. [76] Yuliang Chen and Ke-Li Wu (2020), “An All-metal Capacitive Coupling Structure for Coaxial Cavity Filters“, 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020, pp. 583-586, doi: 10.1109/IMS30576.2020.9223932. [77] Morten Hagensen (2012), “Power handling analysis of microwave filters using circuit models and single resonator HFSS simulations“, Guided Wave Technology ApS, Hilleroed, Denmark, Anders Edquist, ANSYS Inc., Canonsburg, PA. [78] Ace Technologies (2020), “Diplexer Dual Band Diplexer 1821“, truy cập tháng 5/2020. [Online]. catecode=4499223871. 124 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN [HC1]. Tran Thi Thu Huong, Nguyen Xuan Quyen, Duy Do Huy, Vu Van Yem and Do Trong Tan (2017), “10th Order Vacuum Resonator Filter Simulation with Two Transmission Zeros”, The 2017 Vietnam - Japan Microwave, Ha Noi, Viet Nam, pp.52- 55. [TC1]. Tran Thi Thu Huong, Nguyen Xuan Quyen, Vu Van Yem (2017), “Modeling and design of a vacuum resonator filter for LTE-A transceiver with two cross couplings”, The University Of Danang, Journal Of Science And Technology, No. 11(120).2017, Vol.4, pp.27.31. [TC2]. Tran Thi Thu Huong, Nguyen Xuan Quyen and Vu Van Yem (2018), “Model And Design Of A Duplexer For Lte-A Transceiver With Hexagon Cylinder Cavities”, JP Journal of Heat and Mass Transfer, Special Volume, Issue III, Advances in Mechanical System and ICT-convergence, pp.381 – 386. [HC2]. Trần Thị Thu Hường, Tô Thị Thảo và Nguyễn Trọng Đức (2018), “Phương pháp tăng độ rộng băng tần ghép giữa hai hốc cộng hưởng”, Kỷ yếu hội nghị quốc gia lần thứ XXI về điện tử, truyền thông và công nghệ thông tin (REV-ECIT 2018), trang 178-183. [HC3]. Tran Thi Thu Huong, Anh Do Tuan, To Thi Thao, Van Yem Vu (2019), “A Novel Resonator Structure to Improve Power Handling Capacity in Iris Coupled Cavity Filter”, 2019 International Conference on Advanced Technologies for Communications (ATC), pp. 98-102. [TC3]. Tran Thi Thu Huong and Vu Van Yem (2021), “A Novel Capacitive Cross - Coupling for enhancement of Microwave Cavity Filter”, đã gửi đăng trên tạp chí JST: Smart Systems and Devices, May 2021, đã có kết quả phản biện lần 1 vào 17/10/2021. [TC4]. Tran Thi Thu Huong and Vu Van Yem (2021), “A New Method For Improving The Mainline Coupling In Cavity Band-Pass Filter”, đã gửi đăng trên tạp chí Indian Journal of Computer Science and Engineering. 125 PHỤ LỤC CÁC PHẦN TỬ TRONG BỘ DUPLEXER CHẾ TẠO THỬ STT Tên phần tử Số lượng Yêu cầu 1 BASE_DUP_2T2R.dwg 1 1) Vật liệul: A6061 hoặc A6063 2) Mạ NiP lớp 1, chiều dày lớp mạ 2 um. 3) Mạ đồng lớp 2, chiều dày lớp đồng nên là 3um. 4) Mạ bạc lớp 3, chiều dày lớp mạ nên là 4 um 2 Cover_Dup.DWG 1 1) Vật liệu: A5052 2) Mạ NiP lớp 1, chiều dày lớp mạ 2 um. 3) Mạ đồng lớp 2, chiều dày lớp đồng nên là 3um. 4) Mạ bạc lớp 3, chiều dày lớp mạ nên là 4 um 3 TX_Resonator.DWG 28 1. Vật liệu: SUM24L 2.Sau đúc 1) Mạ đồng, chiều dày lớp mạ không điện 2-3um. 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 4 TX_Resonator_Probe.DWG 4 1. Vật liệu: SUM24L 2.Sau đúc 1) Mạ đồng, chiều dày lớp mạ không điện 2-3um. 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 5 RX_Resonator.DWG 28 1. Vật liệu: SUM24L 2.Sau đúc 1) Mạ đồng, chiều dày lớp mạ không điện 2-3um. 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 6 RX_Resonator_Probe.DWG 4 1. Vật liệu: SUM24L 2.Sau đúc 1) Mạ đồng, chiều dày lớp mạ không điện 2-3um. 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 7 Connector N 8 Danh mục vật tư/ bản vẽ 2T2R Band 3 75Mhz 126 8 Din Connector 4 9 Vít và đai ốc M4 (M4x8, M4x10, M4x12, M4x16, M4x20, M4x28 - 30) .Screws for Tuning_Dup.DWG 150 vít + 150 Đai ốc 1) Vật liệu: SUS304 hoặc tương đương 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 10 Teflon_PTFE_EVT1A.DWG 10 1) Material: PTFE 11 Cross_1_TX.DWG 7 1) Vật liệu: SUS304 hoặc tương đương 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 12 Cross_2_TX.DWG 7 1) Vật liệu: SUS304 hoặc tương đương 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 13 Cross_3_TX.DWG 7 1) Vật liệu: SUS304 hoặc tương đương 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 127 14 Cross_RX.DWG 7 1) Vật liệu: SUS304 hoặc tương đương 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 15 LPF.DWG 2 1) Vật liệu: SUS304 hoặc tương đương 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 16 LPF_PTFE_SUPPORT_band_3.DWG 8 Vật liệu: PTFE hoặc tương đương 17 LPF_TUBE_EVT1C.DWG 4 Vật liệu: PTFE hoặc tương đương 18 Probe_RX_DIN.DWG 8 1) Vật liệu: Đồng 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 19 Probe_RX_N.DWG 8 1) Vật liệu: Đồng 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 20 Probe_TX_Din.DWG 8 1) Vật liệu: Đồng 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 21 Probe_TX_N.DWG 8 1) Vật liệu: Đồng 2) Mạ bạc, độ dày lớp mạ điện 3-5 um 128 22 Vít M3xL8 250 1. SUS304
File đính kèm:
- luan_an_nghien_cuu_phat_trien_bo_loc_hoc_cong_huong_dong_tru.pdf
- 2.TTTHuong_Bao cao tom tat luan an.pdf
- 3. TTTHuong_Ban trich yeu luan an.pdf
- 4. TTTHuong_THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN.pdf
- 4.TTTHuong_ INFORMATION ON NEW CONCLUSIONS OF DOCTORAL THESI.pdf