Luận án Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng

Các nano tinh thể bán dẫn cũng c n được biết đến là các chấm lượng tử do

kích thước rất nh bé của chúng từ 1–20 nano mét nm , thể hiện các tính chất

điện tử và quang học thú vị. Ta c thể xếp tính chất của chúng n m giữa các vật liệu

bán dẫn khối và các phân tử hay các nguyên tử riêng biệt. Trong v ng 20 n m gần

đây, các nghiên cứu mạnh mẽ về chấm lượng tử đã được tiến hành và đạt được các

tiến bộ to lớn trong việc tổng hợp các chấm lượng tử, cũng như trong việc hiểu biết

về các tính chất quang và điện của chúng [90].

Các nano tinh thể chấm lượng tử bán dẫn là các hạt phát sáng rất bé ở kích

thước nm. Các hạt này đã được nghiên cứu một cách mạnh mẽ và phát triển cho các

ứng dụng đa dạng, ví dụ như trong các linh kiện chuyển đổi n ng lượng m t trời,

các linh kiện quang điện tử, các detector siêu nhậy, trong các linh kiện phát sáng

 QD-LED , trong các ứng dụng y-sinh như hiện ảnh phân tử và tế bào [64], [80],

[116], các cảm biến sinh học nano nano-biosensor) [79]. C thể n i, hiện nay là

thời đại của chấm lượng tử vì c rất nhiều ứng dụng hứa h n và nổi bật của chấm

lượng tử trong các l nh vực kể trên. Đ c tính nổi trội của các chấm lượng tử là hiệu

ứng giam giữ lượng tử do kích thước giảm xuống c nm. Hiệu ứng này dẫn đến việc

các hạt tải tích điện bị giam giữ về m t không gian, ở bên trong thể tích rất bé của

nano tinh thể. Do hiệu ứng này, các nhà khoa học c thể sử dụng kích thước của các

chấm lượng tử này để thay đổi, trong một khoảng rộng và chính xác, n ng lượng

của các trạng thái điện tử gián đoạn và các dịch chuyển quang học. Kết quả là các

nhà khoa học c thể thay đổi phát xạ ánh sáng từ các hạt chấm lượng tử này, từ

vùng phổ tử ngoại, nhìn thấy, h ng ngoại gần và tới vùng phổ h ng ngoại giữa. Các

hạt chấm lượng tử này cũng tạo ra nhiều tính chất quang mới như là sự nhân các hạt

tải carrier multiplication , đơn hạt nhấp nháy single- particle blinking và truyền

tín hiệu phổ.

Như đã viết ở trên, nm là một phần t của mét 10-9 m , là cột mốc đánh dấu

ranh giới giữa lý thuyết cổ điển của Newton và lý thuyết cơ lượng tử, và như vậy,2

nhiều tính chất vật lý và h a học duy nhất và khác biệt xuất hiện trong các hạt nano

mà không c ở các vật liệu khối [26].

Công nghệ nano tinh thể bán dẫn được phát triển đầu tiên vào những n m đầu

1980 trong các ph ng thí nghiệm của Louis Brus tại Bell Laboratories và của

Alexander Efros và Alexei I. Ekimov, ở Viện Công nghệ Vật lý A.F. Ioffe ở St.

Peterburg [26]. Thuật ngữ ―chấm lượng tử‖ đã được Mark A. Reed đưa ra đầu tiên

vào n m 1988 [73], trong đ bao hàm các nano tinh thể bán dẫn phát quang, mà các

exciton của chúng bị giam giữ trong cả ba chiều không gian - sự giam giữ lượng tử.

Các điện tử và lỗ trống bị giam giữ một cách nghiêm ng t khi bán kính của hạt

chấm lượng tử nh hơn bán kính Bohr của exciton, kích thước điển hình c từ 2–20

nm. Thông thường, chúng là các hệ hai thành phần, bao g m một l i của vật liệu

bán dẫn r i được bọc với một lớp v của một chất bán dẫn khác, như được minh

họa trên hình 1. Huỳnh quang HQ của chấm lượng tử được hình thành khi chấm

lượng tử hấp thụ một photon c n ng lượng cao hơn n ng lượng vùng cấm của vật

liệu bán dẫn l i, dẫn đến việc một điện tử bị kích thích và được đưa lên vùng dẫn,

để lại một lỗ trống ở vùng h a trị. Như vậy, một c p điện tử - lỗ trống exciton)

được tạo ra. Thời gian sống phát xạ của chấm lượng tử thì dài, c từ 10-40 ns, do đ

làm t ng xác suất hấp thụ tại các bước s ng ngắn hơn và làm cho phổ hấp thụ mở

rộng, như được minh họa trên hình 1. Do n ng lượng vùng cấm quyết định bước

s ng phát xạ photon, bởi vậy c thể kiểm soát bước s ng phát xạ qua kích thước của

hạt nano n ng lượng vùng cấm t lệ nghịch với bình phương kích thước của chấm

lượng tử). Các chấm lượng tử c các tính chất vật lý đơn nhất theo kích thước nm

và thành phần tạo ra chúng. Chấm lượng tử được sử dụng trực tiếp trong các ứng

dụng liên quan đến các tính chất quang của chúng, do sự hấp thụ mạnh, HQ mạnh

và h p, thay đổi theo kích thước, c độ bền quang cao so với các chất mầu hữu cơ,

tốc độ bị bạc màu chậm. Phổ hấp thụ rộng của các chấm lượng tử cho phép ta kích

thích, tại cùng một bước s ng, kích thích cùng một lúc các chấm lượng tử với kích

thước khác nhau, trong vùng phổ rộng. Các chấm lượng tử này c thể thay thế các

chất màu hữu cơ như Rhodamine 640 trong các ứng dụng hiện ảnh sinh học, vì3

chúng phát quang mạnh và ít bị bạc màu khi chiếu sáng so với chất mầu hữu cơ

[112]. Không giống như các đơn phân tử khác, các hạt chấm lượng tử chế tạo ra c

thể được biến đổi bề m t, để c các tính chất hay chức n ng cần thiết, cho các ứng

dụng khác nhau.

pdf 186 trang chauphong 19/08/2022 11820
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Luận án Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

Tóm tắt nội dung tài liệu: Luận án Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng

Luận án Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN KHOA HỌC 
 VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM 
VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU 
-------- 
Vũ Đức Chính 
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO, TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC 
CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe VỚI CẤU TRÚC LÕI/VỎ 
VÀ ĐỊNH HƢỚNG ỨNG DỤNG 
LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU 
Hà Nội- 2011 
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN KHOA HỌC 
 VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM 
VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU 
-------- 
Vũ Đức Chính 
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO, TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC 
CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe VỚI CẤU TRÚC LÕI/VỎ 
VÀ ĐỊNH HƢỚNG ỨNG DỤNG 
 Chuyên ngành: Vật liệu quang học, quang điện tử và quang tử 
 Mã số: 62 44 50 05 
LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU 
 NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: 
 1: TS. Phan Tiến Dũng 
 2: PGS.TS. Phạm Thu Nga 
Hà Nội- 2011 
LỜI CẢM ƠN 
Tôi xin được bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới PGS.TS. Phạm Thu Nga và TS. 
Phan Tiến Dũng, những người thầy đã nhiệt tình hướng dẫn tôi trong suốt thời gian 
tôi làm nghiên cứu khoa học, hết lòng giúp đỡ tôi về vật chất và tinh thần trong thời 
gian tôi làm nghiên cứu sinh để tôi hoàn thành luận án này. 
Xin trân trọng cảm ơn Bộ Giáo dục và Đào tạo, Viện Khoa học Vật liệu và 
Phòng Đào tạo đã tạo điều kiện thuận lợi cho tôi làm luận án, đặc biệt là PGS.TS. 
Viện trưởng Nguyễn Quang Liêm đã tạo điều kiện trong giai đoạn cuối, để tôi có 
thể hoàn thành được nội dung bản luận án này. Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn đến 
GS.TS. Đào Trần Cao. 
Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS. Nguyễn Xuân Nghĩa, thuộc Viện Khoa học 
Vật liệu; TS. Carlos Barthou và GS. Paul Benalloul, thuộc Viện các khoa học Nano 
Paris, trường Đại học Pierre và Marie Curie, Paris, Pháp; PGS.TS. Lê Văn Vũ, 
Giám đốc Trung tâm Khoa học Vật liệu, thuộc Khoa Vật lý, trường Đại học Khoa 
học tự nhiên; ThS. Đỗ Hùng Mạnh và ThS. Phạm Thanh Bình, thuộc Viện Khoa học 
Vật liệu; PGS.TS. Nguyễn Văn Hùng, thuộc Khoa Vật lý, trường Đại học Sư phạm 
Hà Nội, đã giúp tôi thực hiện các phép đo để nghiên cứu các tính chất vật lý của 
các mẫu chấm lượng tử. Tôi xin cảm ơn GS.TS. Nguyễn Đại Hưng và PGS.TS. Vũ 
Thị Bích đã tạo điều kiện để tôi tham gia thực hiện đề tài độc lập cấp Viện Khoa 
học và Công nghệ Việt Nam (năm 2007-2008) “Phát triển và ứng dụng k thuật 
nano quang tử cho đánh dấu nghiệp vụ , đóng góp vào các kết quả của luận án 
này. Tôi xin cảm ơn PGS.TS. Nguyễn Ngọc Long và ThS. Lưu Mạnh Quỳnh, thuộc 
Trung tâm Khoa học Vật liệu, Khoa Vật lý, trường Đại học Khoa học tự nhiên; TS. 
Kim Thị Phương Oanh, thuộc Viện Công nghệ sinh học, đã ứng dụng các mẫu chấm 
lượng tử của chúng tôi để phát hiện sự có mặt của virus viêm gan B. 
Tôi cũng xin chân thành cảm ơn các NCS. Vũ Thị Hồng Hạnh, NCS. Khổng 
Cát Cương, KS. Phạm Thùy Linh, CN. Đỗ Văn Dũng và CN. Lê Văn Quỳnh đã cùng 
tôi tiến hành các thí nghiệm chế tạo mẫu và nghiên cứu các tính chất quang của 
chúng. 
Sau cùng, tôi xin cảm ơn gia đình, những người thân và các bạn bè của tôi, dù 
có làm khoa học hay không, đã ủng hộ tôi làm nghiên cứu sinh. 
Tác giả luận án 
 Vũ Đức Chính 
LỜI CAM ĐOAN 
Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dƣới sự 
hƣớng dẫn của TS. Phan Tiến Dũng và PGS.TS. Phạm Thu Nga. Các số liệu, 
kết quả trong luận án là trung thực và chƣa đƣợc ai công bố trong bất cứ công 
trình nào khác. 
 Tác giả luận án 
 Vũ Đức Chính 
MỤC LỤC 
 Trang 
Danh mục các ký hiệu, các chữ viết tắt 
Danh mục các hình vẽ và bảng 
MỞ ĐẦU 1 
CHƢƠNG 1. TỔNG QUAN LÝ THUYẾT VỀ CÁC CHẤM 
LƢỢNG TỬ CdSe 
12 
1.1. Giới thiệu về các chấm lƣợng tử huyền phù 12 
1.2. Cấu trúc điện tử cơ bản của các chấm lƣợng tử 16 
1.2.1. Chế độ giam giữ yếu 18 
1.2.2. Chế độ giam giữ trung gian 18 
1.2.3. Chế độ giam giữ mạnh 19 
1.2.4. Phép gần đúng khối lƣợng hiệu dụng ứng dụng cho mô hình 
nhiều dải 
19 
1.3. Các chuyển dời quang học 24 
1.4. Cấu trúc tinh tế của exciton biên dải 25 
1.5. Phổ quang học của các chấm lƣợng tử CdSe 27 
CHƢƠNG 2. PHƢƠNG PHÁP CHẾ TẠO CÁC CHẤM LƢỢNG 
TỬ CdSe/ZnS CẤU TRÚC LÕI/VỎ VÀ CÁC K THUẬT THỰC 
NGHIỆM 
30 
2.1. Phƣơng pháp chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe với cấu trúc l i v 
với v dày và nhiều lớp v 
30 
2.1.1. Giới thiệu về các phƣơng pháp chế tạo các chấm lƣợng tử 
CdSe 
30 
2.1.2. Quy trình chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe và CdSe ZnS 35 
2.1.3. Quy trình chế tạo các chấm lƣợng tử l i v với v dày và cấu 
trúc nhiều lớp v CdSe ZnSe ZnS và CdSe CdS ZnS 
40 
2.2. Biến đổi bề m t và chức n ng hoá các chấm lƣợng tử 43 
2.2.1. Trao đổi ligand 45 
2.2.2. Phƣơng pháp biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu 
trúc l i v b ng các nh m amine -NH2), silanol (-Si-OH) và 
carboxyl (-COOH) 
46 
2.2.2.1. Amin h a các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v và 
nhiều lớp v b ng 2-aminoethanethiol 
46 
2.2.2.2. Silan h a các chấm lƣợng tử b ng mercaptopropyl-
tris(methyloxy)silane 
47 
2.2.2.3. Carboxyl h a các chấm lƣợng tử b ng 3-mercapto-
propionic acid 
47 
2.2.3. Bọc các nano tinh thể b ng lớp v SiO2 48 
2.2.4. Đƣa các nano tinh thể vào các hạt cầu SiO2 49 
2.3. Các k thuật thực nghiệm dùng để nghiên cứu chấm lƣợng tử CdSe 49 
2.3.1. Kính hiển vi điện tử truyền qua 49 
2.3.2. Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trƣờng 50 
2.3.3. Nhiễu xạ tia X 51 
2.3.4. Phƣơng pháp đo phổ hấp thụ quang học 53 
2.3.5. Phƣơng pháp phổ huỳnh quang 55 
2.3.6. Phƣơng pháp đo hiệu suất lƣợng tử của các chấm lƣợng tử 56 
CHƢƠNG 3. KẾT QUẢ VỀ CHẾ TẠO, ĐẶC TRƢNG HÌNH 
THÁI CẤU TRÚC CỦA CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe CẤU 
TRÚC LÕI/VỎ VÀ NHIỀU LỚP VỎ 
58 
3.1. Kết quả chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v và v dày: 
CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS 
58 
3.1.1. Chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe 58 
3.1.2. Bọc v ZnS cho các chấm lƣợng tử CdSe 66 
3.2. Quá trình chuyển các chấm lƣợng tử thành dạng bột nano 75 
3.3. Kết luận 75 
CHƢƠNG 4. CÁC TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM 
LƢỢNG TỬ CdSe CẤU TRÚC LÕI/VỎ VÀ NHIỀU LỚP VỎ 
77 
4.1. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc khác nhau, 
cấu trúc l i v dày CdSe ZnS và nhiều lớp 
77 
4.1.1. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc khác 
nhau 
77 
4.1.2. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử CdSe ZnS với lớp v c 
độ dày thay đổi 
81 
4.1.3. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử nhiều lớp với v dày 84 
4.2. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc khác 
nhau, cấu trúc l i v dày CdSe ZnS và nhiều lớp 
87 
4.2.1. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc 
khác nhau 
87 
4.2.2. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe ZnS cấu trúc 
l i v dày 
91 
4.2.3. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc nhiều 
lớp v 
93 
4.3. Phổ huỳnh quang ở nhiệt độ từ 4 K tới 300 K của các chấm lƣợng 
tử CdSe và CdSe ZnS 
98 
4.4. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe nhiều lớp và v dày 
ở nhiệt độ thấp đến 4 K 
107 
4.5. Huỳnh quang tắt dần và thời gian sống τ tại các nhiệt độ từ 4 K 
đến nhiệt độ ph ng 
111 
4.6. Kết luận 119 
CHƢƠNG 5. TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƢỢNG 
TỬ CdSe VỚI CẤU TRÚC LÕI/VỎ ĐÃ ĐƢỢC IẾN ĐỔI Ề 
MẶT VÀ ĐỊNH HƢỚNG ỨNG DỤNG 
121 
5.1. Biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v với các 
nhóm amine 
124 
5.1.1. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử đƣợc amine h a 125 
5.1.2. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử đƣợc amine h a 126 
5.2. Biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v với các 
nhóm silanol (-Si-OH) 
128 
5.3. Biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v với các 
nhóm carboxyl 
130 
5.4. Bọc các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v b ng lớp v SiO2 132 
5.5. Đƣa các nano tinh thể CdSe cấu trúc l i v vào bề m t các hạt cầu 
vi xốp SiO2 
134 
5.6. Ghép các chấm lƣợng tử tan trong nƣớc với các phân tử hoạt tính 
thuốc trừ sâu 
136 
5.7. Định hƣớng ứng dụng các chấm lƣợng tử CdSe ZnS làm cảm biến 
sinh học cho việc phát hiện thuốc trừ sâu phốt phát hữu cơ 
137 
5.7.1. Chế tạo Acetylthiocholine 140 
5.7.2. Chế tạo tổ hợp đế chấm lƣợng tử-ATCh-AChE 140 
5.7.3. Chuẩn bị các mẫu của tổ hợp đế: chấm lƣợng tử-ATCh-AChE 
với lƣợng thuốc trừ sâu Parathion methyl khác nhau 
140 
5.7.4. Kết quả 140 
5.8. Kết luận 143 
KẾT LUẬN 145 
DANH MỤC CÔNG TRÌNH CÔNG BỐ SỬ DỤNG TRONG LUẬN 
ÁN 
DANH MỤC CÔNG TRÌNH CÔNG BỐ CÓ LIÊN QUAN VỚI ĐỀ 
TÀI LUẬN ÁN 
TÀI LIỆU THAM KHẢO 
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIÊT TẮT 
nm nano mét 
HQ Huỳnh quang 
TOP Trioctylphosphine 
TOPO Trioctylphosphine oxide 
HDA Hexadecylamine 
CHĐBM Chất hoạt động bề m t 
Cd(CH3COO)2 Cadmium acetate 
Cd(CH3)3 Dimethylcadmium 
Se Selen 
TOP-Se Trioctylphosphine selenide 
Zn Kẽm 
Zn(CH3COO)2 Kẽm acetate 
(TMS)2S Hexamethyl disilthiane 
N2 Nitơ 
Cd Cadmium 
S Lƣu huỳnh 
CHCl3 Chloroform 
CH3OH Methanol 
TEM Kính hiển vi điện tử truyền qua 
HR-TEM Kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao 
FE-SEM Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trƣờng 
FWHM Độ bán rộng phổ huỳnh quang 
 Thời gian sống phát xạ 
QY Hiệu suất lƣợng tử huỳnh quang 
-NH2 Nh m amine 
-COOH Nh m carboxyl 
-SH Nhóm thiol 
MPA Mercaptopropionic acid 
AET 2-aminoethanethiol 
MPS Mercaptopropyltris(methyloxy)silane 
TMAH Tetramethylammonium hydroxide trong methanol 
HBV Virus viêm gan B 
TEOS Tetraethyl orthosilicate 
SiO2 Silica 
M Mol/lít 
ML Đơn lớp 
AChE Acetylcholinesterase 
ATCh Acetylthiocholine 
TCh Thiocholine 
PM Parathion Methyl 
OPH Organophosphorus hydrolase 
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ẢNG 
Hình 1. Mô hình chấm lượng tử với cấu trúc lõi/vỏ và phổ HQ của chúng tương 
ứng khi kích thước tăng dần 
Hình 1.1. Các hình dạng khác nhau của các nano tinh thể bán dẫn CdSe 
Hình 1.2. Ảnh hưởng của hình dáng nano tinh thể tới tính chất điện tử (A) và tính 
chất bề mặt (B) của chúng 
Hình 1.3. Mô hình chế tạo ra các chấm lượng tử CdSe: Dung môi có điểm sôi cao 
được đun nóng đến nhiệt độ cao và có sử dụng khí trơ để loại bỏ hoàn toàn không 
khí trước khi tiêm dung dịch các tiền chất cơ kim hoặc vô cơ vào đó, tạo ra các 
mầm tinh thể và sau đó là nuôi các mầm này thành các chấm lượng tử huyền phù 
trong môi trường lỏng 
Hình 1.4. Sự chuyển động của các hạt tải không định xứ khi được kích thích quang, 
thì bị giam giữ nghiêm ngặt trong mỗi chiều, các hiệu ứng của sự giam giữ lượng tử 
trở nên càng rõ rệt hơn theo số chiều bị giam giữ. Hình bên trái minh họa sự 
chuyển động không nghiêm ngặt lắm của các hạt tải trong cấu trúc dải thông 
thường với mật độ các trạng thái (D.O.S) thì tỷ lệ với E1/2 trong mỗi dải. Trong các 
màng mỏng (giếng lượng tử), sự chuyển động của các hạt tải bị giới hạn nghiêm 
ngặt trong một chiều, dẫn đến mật độ các trạng thái không đổi trong mỗi dải. Trong 
các dây lượng tử, các hạt tải bị giam giữ theo hai chiều, và mật độ các trạng thái 
trở nên nhọn. Nano tinh thể chấm lượng tử biểu hiện sự giam giữ lượng tử đối với 
các hạt tải, theo cả ba chiều và các trạng thái thì giống như nguyên tử 
Hình 1.5. Cấu trúc dải của CdSe khối. Các khối lượng hiệu dụng của các dải khác 
nhau được chỉ ra ở bên phải hình 
Hình 1.6. Các dịch chuyển quang học được phép trong chấm lượng tử, trong phép 
gần đúng là các hạt tả ... r A., Weller H. (2001), "Colloidally Prepared CdHgTe and HgTe 
Quantum Dots with Strong Near-Infrared Luminescence", physica status 
solidi (b) 224(1), pp. 153-158. 
77. Rosenberry T. L., Sonoda L. K., Dekat S. E., Cusack B., Joseph L. J., Johnson J. 
L. (2009), "Monitoring the reaction of carbachol with acetylcholinesterase by 
thioflavin T fluorescence and acetylthiocholine hydrolysis", Chem Biol 
Interact. 175, pp. 235–241. 
78. Salman A. A., Tortschanoff A., Mohamed M. B., Tonti D., Mourik F. V., 
Chergui M. (2007), "Temperature effects on the spectral properties of 
colloidal CdSe nanodots, nanorods, and tetrapods", Applied Physics Letters 
90(9), pp. 093104-1-3. 
79. Smith A. M., Nie S. (2009), "Semiconductor Nanocrystals: Structure, 
Properties, and Band Gap Engineering", Accounts of Chemical Research 43, 
pp. 190-200. 
80. Smith A. M., Mohs A. M., Nie S. (2009), "Tuning the optical and electronic 
properties of colloidal nanocrystals by lattice strain", Nature Nanotechnology 
4, pp. 56-63. 
81. Sullivan S. C., Woo W. K., Steckel J. S., Bawendi M., Bulovic V. (2003), 
"Tuning the performance of hybrid organic/inorganic quantum dot light-
emitting devices", Organic electronics 4, pp. 123-130. 
82. Sun M., Yu H., Yang W., Qi L., Yang F., Yang X. (2009), "Shape evolution of 
CdSe nanocrystals in vegetable oils: A synergistic effect of selenium 
 precursor", Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering 
Aspects 350, pp. 91-100. 
83. Sungjee K., Fisher B., Eisler H. J., Bawendi M. (2003), "Type-II Quantum Dots: 
CdTe/CdSe(Core/Shell) and CdSe/ZnTe(Core/Shell) Heterostructures", J. 
am. chem. soc. 125, pp. 11466-11467. 
84. Susumu K., Uyeda H. T., Medintz I. L., Pons T., Delehanty J. B., Mattoussi H. 
(2007), "Enhancing the Stability and Biological Functionalities of Quantum 
Dots via Compact Multifunctional Ligands", Journal of the American 
Chemical Society 129, pp. 13987-13996. 
85. Swaminathan P., Antonov V. N., Soares J. A. N. T., Palmer J. S., Weaver J. H. 
(2006), "Cd-based II-VI semiconductor nanostructures produced by buffer-
layer-assisted growth: Structural evolution and photoluminescence", 
Physical Review B 73(12), pp. 125430-1-8. 
86. Talapin D.V., Mekis I., Gotzinger S., Kornowski A., Benson O., Weller H. 
(2004), "CdSe/CdS/ZnS and CdSe/ZnSe/ZnS Core-Shell-Shell 
Nanocrystals", The Journal of Physical Chemistry B 108, pp. 18826-18831. 
87. Talapin D. V., Rogach A. L., Kornowski A., Haase M., Weller H. (2001), 
"Highly Luminescent Monodisperse CdSe and CdSe/ZnS Nanocrystals 
Synthesized in a Hexadecylamine-Trioctylphosphine Oxide-
Trioctylphosphine Mixture", Nano Letters 1(4), pp. 207-211. 
88. Ung Thi Dieu Thuy, Nguyen Quang Liem, Do Xuan Thanh, Protière M., Reiss 
P. 2007 , ―Optical transitions in polarized CdSe, CdSe ZnSe, and 
CdSe/CdS/ZnS quantum dots dispersed in various polar solvents‖, Applied 
Physics Letters 91, 241908. 
89. Ung Thi Dieu Thuy, Tran Thi Kim Chi, Nguyen Quang Liem (2006), 
―Preparation of CdSe and CdTe quantum dots from CdO‖, Proc. the Fourth 
National Conference on Optics and Spectroscopy, pp. 208–211. 
90. Tomczak N., Jánczewski D., Han M., Vancso G.J. (2009), "Designer polymer–
quantum dot architectures", Progress in Polymer Science 34, pp. 393-430. 
 91. Tonti D., Mohammed M. B., Salman A. A., Pattison P., Chergui M. (2008), 
"Multimodal Distribution of Quantum Confinement in Ripened CdSe 
Nanocrystals", Chemistry of Materials 20, pp. 1331-1339. 
92. Treadway J. A., Zehnder D. A., Schrier M. D. (2004), Luminescent 
nanoparticles and methods for their preparation., Quantum Dot Corporation 
(Hayward, CA): United States. 
93. Valerini D., Cretí A., Lomascolo M., Manna L., Cingolani R., Anni M. (2005), 
"Temperature dependence of the photoluminescence properties of colloidal 
CdSe/ZnS core/shell quantum dots embedded in a polystyrene matrix", 
Physical Review B 71(23), pp. 235409-1-6. 
94. Varshni Y. P. (1967), "Temperature dependence of the energy gap in 
semiconductors", Physica 34(1), pp. 149-154. 
95. Velikov K. P., Blaaderen A. V. (2001), "Synthesis and Characterization of 
Monodisperse Core−Shell Colloidal Spheres of Zinc Sulfide and Silica", 
Langmuir 17, pp. 4779-4786. 
96. Vion C. (2009), Couplage de nanocristaux colloidaux à des structures 
photoniques, Controle de l’émission spontanée, Thèse de doctorat. 
97. Wang C., Jiang Y., Chen L., Li S., Li G., Zhang Z. (2009), "Temperature 
dependence of optical properties and size tunability CdSe quantum dots via 
non-TOP synthesis", Materials Chemistry and Physics 116, pp. 388-391. 
98. Wang H., Wang J., Timchalk C., Lin Y. (2008), "Magnetic Electrochemical 
Immunoassays with Quantum Dot Labels for Detection of Phosphorylated 
Acetylcholinesterase in Plasma", Anal. Chem. 80(22), pp. 8477-8484. 
99. Wang X., Lou X., Wang Y., Guo Q., Fang Z., Zhong X., Mao H., Jin Q., Wu L., 
Zhao H., Zhao J. (2010), "QDs-DNA nanosensor for the detection of 
hepatitis B virus DNA and the single-base mutants", Biosensors and 
Bioelectronics 25, pp. 1934-1940. 
 100. Wang Y. F., Yang R. Q., Wang Y. J., Shi Z. X., Liu J. J. (2009), "Application 
of CdSe nanoparticle suspension for developing latent fingermarks on the 
sticky side of adhesives", Forensic Science International 185, pp. 96-99. 
101. Woggon U. (1996), Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots, 
Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Germany. 
102. Won Y. H., Jang H. S., Chung D. W., Stanciu L. A. (2010), "Multifunctional 
calcium carbonate microparticles: Synthesis and biological applications", J. 
Mater. Chem. 20, pp. 7728-7733. 
103. Wong M. S., Stucky G. D. (2001), "The Facile Synthesis of Nanocrystalline 
Semiconductor Quantum Dots", Materials Research Society Symposium 
Proceedings 676. 
104. Wu W., Qu W., Ye H. A., Zheng Z., Yang Y. (2010), "Photoluminescent 
spectroscopic and kinetic studies on green-emitting CdSeS quantum 
dot/polymethyl methacrylate composite", Journal of Non-Crystalline Solids 
356, pp. 1016-1020. 
105. Wu Z., Zhao Y., Qiu F., Li Y., Wang S., Yang B., Chen L., Sun J., Wang J. 
(2009), "Forming water-soluble CdSe/ZnS QDs using amphiphilic polymers, 
stearyl methacrylate/methylacrylate copolymers with different hydrophobic 
moiety ratios and their optical properties and stability", Colloids and 
Surfaces A 350, pp. 121-129. 
106. Wuister S. F. (2005), Optical Studies of Capped Quantum Dots, Doctoral 
thesis. 
107. Xia X., Liu Z., Du G., Li Y., Ma M. (2010), "Wurtzite and zinc-blende CdSe 
based core/shell semiconductor nanocrystals: Structure, morphology and 
photoluminescence", Journal of Luminescence 130, pp. 1285-1291. 
108. Xue X., Pan J., Xie H., Wang J., Zhang S. (2009), "Fluorescence detection of 
total count of Escherichia coli and Staphylococcus aureus on water-soluble 
CdSe quantum dots coupled with bacteria", Talanta 77, pp. 1808-1813. 
 109. Yissar V. P., Katz E., Wasserman J., Willner I. (2003), "Acetylcholine 
esterase-labeled CdS nanoparticles on electrodes: Photoelectrochemical 
sensing of the enzyme inhibitors", J. Am. Chem. Soc. 125(3), pp. 622-623. 
110. Yoffe A. D. (2001), "Semiconductor quantum dots and related systems: 
electronic, optical, luminescence and related properties of low dimensional 
systems", Advances in Physics 50(1), pp. 1-208. 
111. Yu T., Shen J. S., Bai H. H., Guo L., Tang J. J., Jiang Y. B., Xie J. W. (2009), 
"A photoluminescent nanocrystal-based signaling protocol highly sensitive 
to nerve agents and highly toxic organophosphate pesticides", Analyst 134, 
pp. 2153-2157. 
112. Yu W. W., Chang E., Drezek R., Colvin V. L., (2006), "Water-soluble 
quantum dots for biomedical applications", Biochemical and Biophysical 
Research Communications 348, pp. 781-786. 
113. Yu W. W., Qu L., Guo W., Peng X. (2003), "Experimental Determination of 
the Extinction Coefficient of CdTe, CdSe, and CdS Nanocrystals", Chemistry 
of Materials 15, pp. 2854-2860. 
114. Zayats M., Kharitonov A. B., Pogorelova S. P., Lioubashevski O., Katz E., 
Willner I. (2003), "Probing photoelectrochemical processes in Au-CdS 
nanoparticle arrays by surface plasmon resonance: Application for the 
detection of acetylcholine esterase inhibitors", J. Am. Chem. Soc. 125(51), 
pp. 16006-16014. 
115. Zhang F., Ali Z., Amin F., Riedinger A., Parak W. J. (2010), "In vitro and 
intracellular sensing by using the photoluminescence of quantum dots", Anal 
Bioanal Chem 397, pp. 935-942. 
116. Zhou C., Shen H., Guo Y., Xu L., Niu J., Zhang Z., Du Z., Chen J., Li L. S. 
(2010), "A versatile method for the preparation of water-soluble amphiphilic 
oligomer-coated semiconductor quantum dots with high fluorescence and 
stability", Journal of Colloid and Interface Science 344, pp. 279-285. 
 117. Zhou M., Nakatani E., Gronenberg L. S., Tokimoto T., Wirth M. J., Hruby 
V.J., Roberts A., Lynch R.M., Ghosh I. (2007), "Peptide-Labeled Quantum 
Dots for Imaging GPCRs in Whole Cells and as Single Molecules", 
Bioconjugate Chemistry 18(2), pp. 323-332. 
118. Zou L., Fang Z., Gu Z., Zhong X. (2009), "Aqueous phase synthesis of 
biostabilizer capped CdS nanocrystals with bright emission", Journal of 
Luminescence 129, pp. 536-540. 
Tiếng Việt 
119. Trần Thị Kim Chi 2010 , Hiệu ứng kích thước ảnh hưởng lên tính chất quang 
của CdS, CdSe và CuInS2, Luận án Tiến s Khoa học Vật liệu, Viện Khoa 
học Vật liệu, Hà Nội. 
120. Khổng Cát Cƣơng, Trịnh Đức Thiện, Phạm V n Hải, Nguyễn Phi Hùng, Bùi 
Thị Phƣơng Thanh, Nguyễn V n Hùng, Phạm Thu Nga, Vũ Đức Chính, Vũ 
Thị H ng Hạnh (2009), ―Chế tạo và khảo sát phổ huỳnh quang của chấm 
lƣợng tử CdSe‖, Proceeding of the 5th National Conference on Optics and 
Spectroscopy and International Workshop on Photonics and Applications, 
Vietnam Academic Press – 2009, Nha Trang, Vietnam, pp. 518-521. 
121. Lê Bá Hải 2010 , Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của một số cấu trúc 
lượng tử trên cơ sở CdSe, Luận án Tiến s Khoa học Vật liệu, Viện Khoa 
học Vật liệu, Hà Nội. 
122. Lê Bá Hải, Nguyễn V n Chúc, Vũ Thị H ng Hạnh, Phạm Nam Thắng, Phạm 
Thái Cƣờng, Vũ Đức Chính, Lê V n Luật, Trịnh Ngọc Hà, Nguyễn Xuân 
Ngh a, Đỗ Hùng Mạnh, Phạm Thu Nga (2005), "Các hạt cầu kích thƣớc nano 
SiO2, CdSe, PbSe: Các tính chất quang phổ, hiệu ứng giam giữ lƣợng tử và 
triển vọng ứng dụng", Tuyển tập các báo cáo Hội nghị Vật lý toàn quốc lần 
thứ VI (2005), tập 1, Nhà xuất bản Khoa học và k thuật, Hà Nội 2006, tr. 
229-234. 
123. Nguyễn Quang Liêm 2007 , Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang phổ của 
một vài loại chấm lượng tử để sử dụng trong k thuật đánh dấu bằng chấm 
 lượng tử, Báo cáo nghiệm thu đề tài khoa học công nghệ cấp Viện Khoa học 
và Công nghệ Việt Nam 2005–2006. 
124. Vũ Thị Kim Liên 2003 , Nghiên cứu các đặc trưng quang phổ của các nano 
tinh thể CdS và một số ion đất hiếm trong mạng nền thủy tinh silica, Luận án 
Tiến s Vật lý. Viện Vật lý, Hà Nội. 

File đính kèm:

  • pdfluan_an_nghien_cuu_che_tao_tinh_chat_quang_cua_cac_cham_luon.pdf