Luận án Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng
Các nano tinh thể bán dẫn cũng c n được biết đến là các chấm lượng tử do
kích thước rất nh bé của chúng từ 1–20 nano mét nm , thể hiện các tính chất
điện tử và quang học thú vị. Ta c thể xếp tính chất của chúng n m giữa các vật liệu
bán dẫn khối và các phân tử hay các nguyên tử riêng biệt. Trong v ng 20 n m gần
đây, các nghiên cứu mạnh mẽ về chấm lượng tử đã được tiến hành và đạt được các
tiến bộ to lớn trong việc tổng hợp các chấm lượng tử, cũng như trong việc hiểu biết
về các tính chất quang và điện của chúng [90].
Các nano tinh thể chấm lượng tử bán dẫn là các hạt phát sáng rất bé ở kích
thước nm. Các hạt này đã được nghiên cứu một cách mạnh mẽ và phát triển cho các
ứng dụng đa dạng, ví dụ như trong các linh kiện chuyển đổi n ng lượng m t trời,
các linh kiện quang điện tử, các detector siêu nhậy, trong các linh kiện phát sáng
QD-LED , trong các ứng dụng y-sinh như hiện ảnh phân tử và tế bào [64], [80],
[116], các cảm biến sinh học nano nano-biosensor) [79]. C thể n i, hiện nay là
thời đại của chấm lượng tử vì c rất nhiều ứng dụng hứa h n và nổi bật của chấm
lượng tử trong các l nh vực kể trên. Đ c tính nổi trội của các chấm lượng tử là hiệu
ứng giam giữ lượng tử do kích thước giảm xuống c nm. Hiệu ứng này dẫn đến việc
các hạt tải tích điện bị giam giữ về m t không gian, ở bên trong thể tích rất bé của
nano tinh thể. Do hiệu ứng này, các nhà khoa học c thể sử dụng kích thước của các
chấm lượng tử này để thay đổi, trong một khoảng rộng và chính xác, n ng lượng
của các trạng thái điện tử gián đoạn và các dịch chuyển quang học. Kết quả là các
nhà khoa học c thể thay đổi phát xạ ánh sáng từ các hạt chấm lượng tử này, từ
vùng phổ tử ngoại, nhìn thấy, h ng ngoại gần và tới vùng phổ h ng ngoại giữa. Các
hạt chấm lượng tử này cũng tạo ra nhiều tính chất quang mới như là sự nhân các hạt
tải carrier multiplication , đơn hạt nhấp nháy single- particle blinking và truyền
tín hiệu phổ.
Như đã viết ở trên, nm là một phần t của mét 10-9 m , là cột mốc đánh dấu
ranh giới giữa lý thuyết cổ điển của Newton và lý thuyết cơ lượng tử, và như vậy,2
nhiều tính chất vật lý và h a học duy nhất và khác biệt xuất hiện trong các hạt nano
mà không c ở các vật liệu khối [26].
Công nghệ nano tinh thể bán dẫn được phát triển đầu tiên vào những n m đầu
1980 trong các ph ng thí nghiệm của Louis Brus tại Bell Laboratories và của
Alexander Efros và Alexei I. Ekimov, ở Viện Công nghệ Vật lý A.F. Ioffe ở St.
Peterburg [26]. Thuật ngữ ―chấm lượng tử‖ đã được Mark A. Reed đưa ra đầu tiên
vào n m 1988 [73], trong đ bao hàm các nano tinh thể bán dẫn phát quang, mà các
exciton của chúng bị giam giữ trong cả ba chiều không gian - sự giam giữ lượng tử.
Các điện tử và lỗ trống bị giam giữ một cách nghiêm ng t khi bán kính của hạt
chấm lượng tử nh hơn bán kính Bohr của exciton, kích thước điển hình c từ 2–20
nm. Thông thường, chúng là các hệ hai thành phần, bao g m một l i của vật liệu
bán dẫn r i được bọc với một lớp v của một chất bán dẫn khác, như được minh
họa trên hình 1. Huỳnh quang HQ của chấm lượng tử được hình thành khi chấm
lượng tử hấp thụ một photon c n ng lượng cao hơn n ng lượng vùng cấm của vật
liệu bán dẫn l i, dẫn đến việc một điện tử bị kích thích và được đưa lên vùng dẫn,
để lại một lỗ trống ở vùng h a trị. Như vậy, một c p điện tử - lỗ trống exciton)
được tạo ra. Thời gian sống phát xạ của chấm lượng tử thì dài, c từ 10-40 ns, do đ
làm t ng xác suất hấp thụ tại các bước s ng ngắn hơn và làm cho phổ hấp thụ mở
rộng, như được minh họa trên hình 1. Do n ng lượng vùng cấm quyết định bước
s ng phát xạ photon, bởi vậy c thể kiểm soát bước s ng phát xạ qua kích thước của
hạt nano n ng lượng vùng cấm t lệ nghịch với bình phương kích thước của chấm
lượng tử). Các chấm lượng tử c các tính chất vật lý đơn nhất theo kích thước nm
và thành phần tạo ra chúng. Chấm lượng tử được sử dụng trực tiếp trong các ứng
dụng liên quan đến các tính chất quang của chúng, do sự hấp thụ mạnh, HQ mạnh
và h p, thay đổi theo kích thước, c độ bền quang cao so với các chất mầu hữu cơ,
tốc độ bị bạc màu chậm. Phổ hấp thụ rộng của các chấm lượng tử cho phép ta kích
thích, tại cùng một bước s ng, kích thích cùng một lúc các chấm lượng tử với kích
thước khác nhau, trong vùng phổ rộng. Các chấm lượng tử này c thể thay thế các
chất màu hữu cơ như Rhodamine 640 trong các ứng dụng hiện ảnh sinh học, vì3
chúng phát quang mạnh và ít bị bạc màu khi chiếu sáng so với chất mầu hữu cơ
[112]. Không giống như các đơn phân tử khác, các hạt chấm lượng tử chế tạo ra c
thể được biến đổi bề m t, để c các tính chất hay chức n ng cần thiết, cho các ứng
dụng khác nhau.
Tóm tắt nội dung tài liệu: Luận án Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU -------- Vũ Đức Chính NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO, TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe VỚI CẤU TRÚC LÕI/VỎ VÀ ĐỊNH HƢỚNG ỨNG DỤNG LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội- 2011 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU -------- Vũ Đức Chính NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO, TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe VỚI CẤU TRÚC LÕI/VỎ VÀ ĐỊNH HƢỚNG ỨNG DỤNG Chuyên ngành: Vật liệu quang học, quang điện tử và quang tử Mã số: 62 44 50 05 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: 1: TS. Phan Tiến Dũng 2: PGS.TS. Phạm Thu Nga Hà Nội- 2011 LỜI CẢM ƠN Tôi xin được bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới PGS.TS. Phạm Thu Nga và TS. Phan Tiến Dũng, những người thầy đã nhiệt tình hướng dẫn tôi trong suốt thời gian tôi làm nghiên cứu khoa học, hết lòng giúp đỡ tôi về vật chất và tinh thần trong thời gian tôi làm nghiên cứu sinh để tôi hoàn thành luận án này. Xin trân trọng cảm ơn Bộ Giáo dục và Đào tạo, Viện Khoa học Vật liệu và Phòng Đào tạo đã tạo điều kiện thuận lợi cho tôi làm luận án, đặc biệt là PGS.TS. Viện trưởng Nguyễn Quang Liêm đã tạo điều kiện trong giai đoạn cuối, để tôi có thể hoàn thành được nội dung bản luận án này. Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn đến GS.TS. Đào Trần Cao. Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS. Nguyễn Xuân Nghĩa, thuộc Viện Khoa học Vật liệu; TS. Carlos Barthou và GS. Paul Benalloul, thuộc Viện các khoa học Nano Paris, trường Đại học Pierre và Marie Curie, Paris, Pháp; PGS.TS. Lê Văn Vũ, Giám đốc Trung tâm Khoa học Vật liệu, thuộc Khoa Vật lý, trường Đại học Khoa học tự nhiên; ThS. Đỗ Hùng Mạnh và ThS. Phạm Thanh Bình, thuộc Viện Khoa học Vật liệu; PGS.TS. Nguyễn Văn Hùng, thuộc Khoa Vật lý, trường Đại học Sư phạm Hà Nội, đã giúp tôi thực hiện các phép đo để nghiên cứu các tính chất vật lý của các mẫu chấm lượng tử. Tôi xin cảm ơn GS.TS. Nguyễn Đại Hưng và PGS.TS. Vũ Thị Bích đã tạo điều kiện để tôi tham gia thực hiện đề tài độc lập cấp Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam (năm 2007-2008) “Phát triển và ứng dụng k thuật nano quang tử cho đánh dấu nghiệp vụ , đóng góp vào các kết quả của luận án này. Tôi xin cảm ơn PGS.TS. Nguyễn Ngọc Long và ThS. Lưu Mạnh Quỳnh, thuộc Trung tâm Khoa học Vật liệu, Khoa Vật lý, trường Đại học Khoa học tự nhiên; TS. Kim Thị Phương Oanh, thuộc Viện Công nghệ sinh học, đã ứng dụng các mẫu chấm lượng tử của chúng tôi để phát hiện sự có mặt của virus viêm gan B. Tôi cũng xin chân thành cảm ơn các NCS. Vũ Thị Hồng Hạnh, NCS. Khổng Cát Cương, KS. Phạm Thùy Linh, CN. Đỗ Văn Dũng và CN. Lê Văn Quỳnh đã cùng tôi tiến hành các thí nghiệm chế tạo mẫu và nghiên cứu các tính chất quang của chúng. Sau cùng, tôi xin cảm ơn gia đình, những người thân và các bạn bè của tôi, dù có làm khoa học hay không, đã ủng hộ tôi làm nghiên cứu sinh. Tác giả luận án Vũ Đức Chính LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dƣới sự hƣớng dẫn của TS. Phan Tiến Dũng và PGS.TS. Phạm Thu Nga. Các số liệu, kết quả trong luận án là trung thực và chƣa đƣợc ai công bố trong bất cứ công trình nào khác. Tác giả luận án Vũ Đức Chính MỤC LỤC Trang Danh mục các ký hiệu, các chữ viết tắt Danh mục các hình vẽ và bảng MỞ ĐẦU 1 CHƢƠNG 1. TỔNG QUAN LÝ THUYẾT VỀ CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe 12 1.1. Giới thiệu về các chấm lƣợng tử huyền phù 12 1.2. Cấu trúc điện tử cơ bản của các chấm lƣợng tử 16 1.2.1. Chế độ giam giữ yếu 18 1.2.2. Chế độ giam giữ trung gian 18 1.2.3. Chế độ giam giữ mạnh 19 1.2.4. Phép gần đúng khối lƣợng hiệu dụng ứng dụng cho mô hình nhiều dải 19 1.3. Các chuyển dời quang học 24 1.4. Cấu trúc tinh tế của exciton biên dải 25 1.5. Phổ quang học của các chấm lƣợng tử CdSe 27 CHƢƠNG 2. PHƢƠNG PHÁP CHẾ TẠO CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe/ZnS CẤU TRÚC LÕI/VỎ VÀ CÁC K THUẬT THỰC NGHIỆM 30 2.1. Phƣơng pháp chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe với cấu trúc l i v với v dày và nhiều lớp v 30 2.1.1. Giới thiệu về các phƣơng pháp chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe 30 2.1.2. Quy trình chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe và CdSe ZnS 35 2.1.3. Quy trình chế tạo các chấm lƣợng tử l i v với v dày và cấu trúc nhiều lớp v CdSe ZnSe ZnS và CdSe CdS ZnS 40 2.2. Biến đổi bề m t và chức n ng hoá các chấm lƣợng tử 43 2.2.1. Trao đổi ligand 45 2.2.2. Phƣơng pháp biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v b ng các nh m amine -NH2), silanol (-Si-OH) và carboxyl (-COOH) 46 2.2.2.1. Amin h a các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v và nhiều lớp v b ng 2-aminoethanethiol 46 2.2.2.2. Silan h a các chấm lƣợng tử b ng mercaptopropyl- tris(methyloxy)silane 47 2.2.2.3. Carboxyl h a các chấm lƣợng tử b ng 3-mercapto- propionic acid 47 2.2.3. Bọc các nano tinh thể b ng lớp v SiO2 48 2.2.4. Đƣa các nano tinh thể vào các hạt cầu SiO2 49 2.3. Các k thuật thực nghiệm dùng để nghiên cứu chấm lƣợng tử CdSe 49 2.3.1. Kính hiển vi điện tử truyền qua 49 2.3.2. Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trƣờng 50 2.3.3. Nhiễu xạ tia X 51 2.3.4. Phƣơng pháp đo phổ hấp thụ quang học 53 2.3.5. Phƣơng pháp phổ huỳnh quang 55 2.3.6. Phƣơng pháp đo hiệu suất lƣợng tử của các chấm lƣợng tử 56 CHƢƠNG 3. KẾT QUẢ VỀ CHẾ TẠO, ĐẶC TRƢNG HÌNH THÁI CẤU TRÚC CỦA CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe CẤU TRÚC LÕI/VỎ VÀ NHIỀU LỚP VỎ 58 3.1. Kết quả chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v và v dày: CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS 58 3.1.1. Chế tạo các chấm lƣợng tử CdSe 58 3.1.2. Bọc v ZnS cho các chấm lƣợng tử CdSe 66 3.2. Quá trình chuyển các chấm lƣợng tử thành dạng bột nano 75 3.3. Kết luận 75 CHƢƠNG 4. CÁC TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe CẤU TRÚC LÕI/VỎ VÀ NHIỀU LỚP VỎ 77 4.1. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc khác nhau, cấu trúc l i v dày CdSe ZnS và nhiều lớp 77 4.1.1. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc khác nhau 77 4.1.2. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử CdSe ZnS với lớp v c độ dày thay đổi 81 4.1.3. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử nhiều lớp với v dày 84 4.2. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc khác nhau, cấu trúc l i v dày CdSe ZnS và nhiều lớp 87 4.2.1. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe với kích thƣớc khác nhau 87 4.2.2. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe ZnS cấu trúc l i v dày 91 4.2.3. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc nhiều lớp v 93 4.3. Phổ huỳnh quang ở nhiệt độ từ 4 K tới 300 K của các chấm lƣợng tử CdSe và CdSe ZnS 98 4.4. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử CdSe nhiều lớp và v dày ở nhiệt độ thấp đến 4 K 107 4.5. Huỳnh quang tắt dần và thời gian sống τ tại các nhiệt độ từ 4 K đến nhiệt độ ph ng 111 4.6. Kết luận 119 CHƢƠNG 5. TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƢỢNG TỬ CdSe VỚI CẤU TRÚC LÕI/VỎ ĐÃ ĐƢỢC IẾN ĐỔI Ề MẶT VÀ ĐỊNH HƢỚNG ỨNG DỤNG 121 5.1. Biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v với các nhóm amine 124 5.1.1. Phổ hấp thụ của các chấm lƣợng tử đƣợc amine h a 125 5.1.2. Phổ huỳnh quang của các chấm lƣợng tử đƣợc amine h a 126 5.2. Biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v với các nhóm silanol (-Si-OH) 128 5.3. Biến đổi bề m t các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v với các nhóm carboxyl 130 5.4. Bọc các chấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v b ng lớp v SiO2 132 5.5. Đƣa các nano tinh thể CdSe cấu trúc l i v vào bề m t các hạt cầu vi xốp SiO2 134 5.6. Ghép các chấm lƣợng tử tan trong nƣớc với các phân tử hoạt tính thuốc trừ sâu 136 5.7. Định hƣớng ứng dụng các chấm lƣợng tử CdSe ZnS làm cảm biến sinh học cho việc phát hiện thuốc trừ sâu phốt phát hữu cơ 137 5.7.1. Chế tạo Acetylthiocholine 140 5.7.2. Chế tạo tổ hợp đế chấm lƣợng tử-ATCh-AChE 140 5.7.3. Chuẩn bị các mẫu của tổ hợp đế: chấm lƣợng tử-ATCh-AChE với lƣợng thuốc trừ sâu Parathion methyl khác nhau 140 5.7.4. Kết quả 140 5.8. Kết luận 143 KẾT LUẬN 145 DANH MỤC CÔNG TRÌNH CÔNG BỐ SỬ DỤNG TRONG LUẬN ÁN DANH MỤC CÔNG TRÌNH CÔNG BỐ CÓ LIÊN QUAN VỚI ĐỀ TÀI LUẬN ÁN TÀI LIỆU THAM KHẢO DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIÊT TẮT nm nano mét HQ Huỳnh quang TOP Trioctylphosphine TOPO Trioctylphosphine oxide HDA Hexadecylamine CHĐBM Chất hoạt động bề m t Cd(CH3COO)2 Cadmium acetate Cd(CH3)3 Dimethylcadmium Se Selen TOP-Se Trioctylphosphine selenide Zn Kẽm Zn(CH3COO)2 Kẽm acetate (TMS)2S Hexamethyl disilthiane N2 Nitơ Cd Cadmium S Lƣu huỳnh CHCl3 Chloroform CH3OH Methanol TEM Kính hiển vi điện tử truyền qua HR-TEM Kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao FE-SEM Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trƣờng FWHM Độ bán rộng phổ huỳnh quang Thời gian sống phát xạ QY Hiệu suất lƣợng tử huỳnh quang -NH2 Nh m amine -COOH Nh m carboxyl -SH Nhóm thiol MPA Mercaptopropionic acid AET 2-aminoethanethiol MPS Mercaptopropyltris(methyloxy)silane TMAH Tetramethylammonium hydroxide trong methanol HBV Virus viêm gan B TEOS Tetraethyl orthosilicate SiO2 Silica M Mol/lít ML Đơn lớp AChE Acetylcholinesterase ATCh Acetylthiocholine TCh Thiocholine PM Parathion Methyl OPH Organophosphorus hydrolase DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ẢNG Hình 1. Mô hình chấm lượng tử với cấu trúc lõi/vỏ và phổ HQ của chúng tương ứng khi kích thước tăng dần Hình 1.1. Các hình dạng khác nhau của các nano tinh thể bán dẫn CdSe Hình 1.2. Ảnh hưởng của hình dáng nano tinh thể tới tính chất điện tử (A) và tính chất bề mặt (B) của chúng Hình 1.3. Mô hình chế tạo ra các chấm lượng tử CdSe: Dung môi có điểm sôi cao được đun nóng đến nhiệt độ cao và có sử dụng khí trơ để loại bỏ hoàn toàn không khí trước khi tiêm dung dịch các tiền chất cơ kim hoặc vô cơ vào đó, tạo ra các mầm tinh thể và sau đó là nuôi các mầm này thành các chấm lượng tử huyền phù trong môi trường lỏng Hình 1.4. Sự chuyển động của các hạt tải không định xứ khi được kích thích quang, thì bị giam giữ nghiêm ngặt trong mỗi chiều, các hiệu ứng của sự giam giữ lượng tử trở nên càng rõ rệt hơn theo số chiều bị giam giữ. Hình bên trái minh họa sự chuyển động không nghiêm ngặt lắm của các hạt tải trong cấu trúc dải thông thường với mật độ các trạng thái (D.O.S) thì tỷ lệ với E1/2 trong mỗi dải. Trong các màng mỏng (giếng lượng tử), sự chuyển động của các hạt tải bị giới hạn nghiêm ngặt trong một chiều, dẫn đến mật độ các trạng thái không đổi trong mỗi dải. Trong các dây lượng tử, các hạt tải bị giam giữ theo hai chiều, và mật độ các trạng thái trở nên nhọn. Nano tinh thể chấm lượng tử biểu hiện sự giam giữ lượng tử đối với các hạt tải, theo cả ba chiều và các trạng thái thì giống như nguyên tử Hình 1.5. Cấu trúc dải của CdSe khối. Các khối lượng hiệu dụng của các dải khác nhau được chỉ ra ở bên phải hình Hình 1.6. Các dịch chuyển quang học được phép trong chấm lượng tử, trong phép gần đúng là các hạt tả ... r A., Weller H. (2001), "Colloidally Prepared CdHgTe and HgTe Quantum Dots with Strong Near-Infrared Luminescence", physica status solidi (b) 224(1), pp. 153-158. 77. Rosenberry T. L., Sonoda L. K., Dekat S. E., Cusack B., Joseph L. J., Johnson J. L. (2009), "Monitoring the reaction of carbachol with acetylcholinesterase by thioflavin T fluorescence and acetylthiocholine hydrolysis", Chem Biol Interact. 175, pp. 235–241. 78. Salman A. A., Tortschanoff A., Mohamed M. B., Tonti D., Mourik F. V., Chergui M. (2007), "Temperature effects on the spectral properties of colloidal CdSe nanodots, nanorods, and tetrapods", Applied Physics Letters 90(9), pp. 093104-1-3. 79. Smith A. M., Nie S. (2009), "Semiconductor Nanocrystals: Structure, Properties, and Band Gap Engineering", Accounts of Chemical Research 43, pp. 190-200. 80. Smith A. M., Mohs A. M., Nie S. (2009), "Tuning the optical and electronic properties of colloidal nanocrystals by lattice strain", Nature Nanotechnology 4, pp. 56-63. 81. Sullivan S. C., Woo W. K., Steckel J. S., Bawendi M., Bulovic V. (2003), "Tuning the performance of hybrid organic/inorganic quantum dot light- emitting devices", Organic electronics 4, pp. 123-130. 82. Sun M., Yu H., Yang W., Qi L., Yang F., Yang X. (2009), "Shape evolution of CdSe nanocrystals in vegetable oils: A synergistic effect of selenium precursor", Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 350, pp. 91-100. 83. Sungjee K., Fisher B., Eisler H. J., Bawendi M. (2003), "Type-II Quantum Dots: CdTe/CdSe(Core/Shell) and CdSe/ZnTe(Core/Shell) Heterostructures", J. am. chem. soc. 125, pp. 11466-11467. 84. Susumu K., Uyeda H. T., Medintz I. L., Pons T., Delehanty J. B., Mattoussi H. (2007), "Enhancing the Stability and Biological Functionalities of Quantum Dots via Compact Multifunctional Ligands", Journal of the American Chemical Society 129, pp. 13987-13996. 85. Swaminathan P., Antonov V. N., Soares J. A. N. T., Palmer J. S., Weaver J. H. (2006), "Cd-based II-VI semiconductor nanostructures produced by buffer- layer-assisted growth: Structural evolution and photoluminescence", Physical Review B 73(12), pp. 125430-1-8. 86. Talapin D.V., Mekis I., Gotzinger S., Kornowski A., Benson O., Weller H. (2004), "CdSe/CdS/ZnS and CdSe/ZnSe/ZnS Core-Shell-Shell Nanocrystals", The Journal of Physical Chemistry B 108, pp. 18826-18831. 87. Talapin D. V., Rogach A. L., Kornowski A., Haase M., Weller H. (2001), "Highly Luminescent Monodisperse CdSe and CdSe/ZnS Nanocrystals Synthesized in a Hexadecylamine-Trioctylphosphine Oxide- Trioctylphosphine Mixture", Nano Letters 1(4), pp. 207-211. 88. Ung Thi Dieu Thuy, Nguyen Quang Liem, Do Xuan Thanh, Protière M., Reiss P. 2007 , ―Optical transitions in polarized CdSe, CdSe ZnSe, and CdSe/CdS/ZnS quantum dots dispersed in various polar solvents‖, Applied Physics Letters 91, 241908. 89. Ung Thi Dieu Thuy, Tran Thi Kim Chi, Nguyen Quang Liem (2006), ―Preparation of CdSe and CdTe quantum dots from CdO‖, Proc. the Fourth National Conference on Optics and Spectroscopy, pp. 208–211. 90. Tomczak N., Jánczewski D., Han M., Vancso G.J. (2009), "Designer polymer– quantum dot architectures", Progress in Polymer Science 34, pp. 393-430. 91. Tonti D., Mohammed M. B., Salman A. A., Pattison P., Chergui M. (2008), "Multimodal Distribution of Quantum Confinement in Ripened CdSe Nanocrystals", Chemistry of Materials 20, pp. 1331-1339. 92. Treadway J. A., Zehnder D. A., Schrier M. D. (2004), Luminescent nanoparticles and methods for their preparation., Quantum Dot Corporation (Hayward, CA): United States. 93. Valerini D., Cretí A., Lomascolo M., Manna L., Cingolani R., Anni M. (2005), "Temperature dependence of the photoluminescence properties of colloidal CdSe/ZnS core/shell quantum dots embedded in a polystyrene matrix", Physical Review B 71(23), pp. 235409-1-6. 94. Varshni Y. P. (1967), "Temperature dependence of the energy gap in semiconductors", Physica 34(1), pp. 149-154. 95. Velikov K. P., Blaaderen A. V. (2001), "Synthesis and Characterization of Monodisperse Core−Shell Colloidal Spheres of Zinc Sulfide and Silica", Langmuir 17, pp. 4779-4786. 96. Vion C. (2009), Couplage de nanocristaux colloidaux à des structures photoniques, Controle de l’émission spontanée, Thèse de doctorat. 97. Wang C., Jiang Y., Chen L., Li S., Li G., Zhang Z. (2009), "Temperature dependence of optical properties and size tunability CdSe quantum dots via non-TOP synthesis", Materials Chemistry and Physics 116, pp. 388-391. 98. Wang H., Wang J., Timchalk C., Lin Y. (2008), "Magnetic Electrochemical Immunoassays with Quantum Dot Labels for Detection of Phosphorylated Acetylcholinesterase in Plasma", Anal. Chem. 80(22), pp. 8477-8484. 99. Wang X., Lou X., Wang Y., Guo Q., Fang Z., Zhong X., Mao H., Jin Q., Wu L., Zhao H., Zhao J. (2010), "QDs-DNA nanosensor for the detection of hepatitis B virus DNA and the single-base mutants", Biosensors and Bioelectronics 25, pp. 1934-1940. 100. Wang Y. F., Yang R. Q., Wang Y. J., Shi Z. X., Liu J. J. (2009), "Application of CdSe nanoparticle suspension for developing latent fingermarks on the sticky side of adhesives", Forensic Science International 185, pp. 96-99. 101. Woggon U. (1996), Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Germany. 102. Won Y. H., Jang H. S., Chung D. W., Stanciu L. A. (2010), "Multifunctional calcium carbonate microparticles: Synthesis and biological applications", J. Mater. Chem. 20, pp. 7728-7733. 103. Wong M. S., Stucky G. D. (2001), "The Facile Synthesis of Nanocrystalline Semiconductor Quantum Dots", Materials Research Society Symposium Proceedings 676. 104. Wu W., Qu W., Ye H. A., Zheng Z., Yang Y. (2010), "Photoluminescent spectroscopic and kinetic studies on green-emitting CdSeS quantum dot/polymethyl methacrylate composite", Journal of Non-Crystalline Solids 356, pp. 1016-1020. 105. Wu Z., Zhao Y., Qiu F., Li Y., Wang S., Yang B., Chen L., Sun J., Wang J. (2009), "Forming water-soluble CdSe/ZnS QDs using amphiphilic polymers, stearyl methacrylate/methylacrylate copolymers with different hydrophobic moiety ratios and their optical properties and stability", Colloids and Surfaces A 350, pp. 121-129. 106. Wuister S. F. (2005), Optical Studies of Capped Quantum Dots, Doctoral thesis. 107. Xia X., Liu Z., Du G., Li Y., Ma M. (2010), "Wurtzite and zinc-blende CdSe based core/shell semiconductor nanocrystals: Structure, morphology and photoluminescence", Journal of Luminescence 130, pp. 1285-1291. 108. Xue X., Pan J., Xie H., Wang J., Zhang S. (2009), "Fluorescence detection of total count of Escherichia coli and Staphylococcus aureus on water-soluble CdSe quantum dots coupled with bacteria", Talanta 77, pp. 1808-1813. 109. Yissar V. P., Katz E., Wasserman J., Willner I. (2003), "Acetylcholine esterase-labeled CdS nanoparticles on electrodes: Photoelectrochemical sensing of the enzyme inhibitors", J. Am. Chem. Soc. 125(3), pp. 622-623. 110. Yoffe A. D. (2001), "Semiconductor quantum dots and related systems: electronic, optical, luminescence and related properties of low dimensional systems", Advances in Physics 50(1), pp. 1-208. 111. Yu T., Shen J. S., Bai H. H., Guo L., Tang J. J., Jiang Y. B., Xie J. W. (2009), "A photoluminescent nanocrystal-based signaling protocol highly sensitive to nerve agents and highly toxic organophosphate pesticides", Analyst 134, pp. 2153-2157. 112. Yu W. W., Chang E., Drezek R., Colvin V. L., (2006), "Water-soluble quantum dots for biomedical applications", Biochemical and Biophysical Research Communications 348, pp. 781-786. 113. Yu W. W., Qu L., Guo W., Peng X. (2003), "Experimental Determination of the Extinction Coefficient of CdTe, CdSe, and CdS Nanocrystals", Chemistry of Materials 15, pp. 2854-2860. 114. Zayats M., Kharitonov A. B., Pogorelova S. P., Lioubashevski O., Katz E., Willner I. (2003), "Probing photoelectrochemical processes in Au-CdS nanoparticle arrays by surface plasmon resonance: Application for the detection of acetylcholine esterase inhibitors", J. Am. Chem. Soc. 125(51), pp. 16006-16014. 115. Zhang F., Ali Z., Amin F., Riedinger A., Parak W. J. (2010), "In vitro and intracellular sensing by using the photoluminescence of quantum dots", Anal Bioanal Chem 397, pp. 935-942. 116. Zhou C., Shen H., Guo Y., Xu L., Niu J., Zhang Z., Du Z., Chen J., Li L. S. (2010), "A versatile method for the preparation of water-soluble amphiphilic oligomer-coated semiconductor quantum dots with high fluorescence and stability", Journal of Colloid and Interface Science 344, pp. 279-285. 117. Zhou M., Nakatani E., Gronenberg L. S., Tokimoto T., Wirth M. J., Hruby V.J., Roberts A., Lynch R.M., Ghosh I. (2007), "Peptide-Labeled Quantum Dots for Imaging GPCRs in Whole Cells and as Single Molecules", Bioconjugate Chemistry 18(2), pp. 323-332. 118. Zou L., Fang Z., Gu Z., Zhong X. (2009), "Aqueous phase synthesis of biostabilizer capped CdS nanocrystals with bright emission", Journal of Luminescence 129, pp. 536-540. Tiếng Việt 119. Trần Thị Kim Chi 2010 , Hiệu ứng kích thước ảnh hưởng lên tính chất quang của CdS, CdSe và CuInS2, Luận án Tiến s Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học Vật liệu, Hà Nội. 120. Khổng Cát Cƣơng, Trịnh Đức Thiện, Phạm V n Hải, Nguyễn Phi Hùng, Bùi Thị Phƣơng Thanh, Nguyễn V n Hùng, Phạm Thu Nga, Vũ Đức Chính, Vũ Thị H ng Hạnh (2009), ―Chế tạo và khảo sát phổ huỳnh quang của chấm lƣợng tử CdSe‖, Proceeding of the 5th National Conference on Optics and Spectroscopy and International Workshop on Photonics and Applications, Vietnam Academic Press – 2009, Nha Trang, Vietnam, pp. 518-521. 121. Lê Bá Hải 2010 , Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của một số cấu trúc lượng tử trên cơ sở CdSe, Luận án Tiến s Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học Vật liệu, Hà Nội. 122. Lê Bá Hải, Nguyễn V n Chúc, Vũ Thị H ng Hạnh, Phạm Nam Thắng, Phạm Thái Cƣờng, Vũ Đức Chính, Lê V n Luật, Trịnh Ngọc Hà, Nguyễn Xuân Ngh a, Đỗ Hùng Mạnh, Phạm Thu Nga (2005), "Các hạt cầu kích thƣớc nano SiO2, CdSe, PbSe: Các tính chất quang phổ, hiệu ứng giam giữ lƣợng tử và triển vọng ứng dụng", Tuyển tập các báo cáo Hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ VI (2005), tập 1, Nhà xuất bản Khoa học và k thuật, Hà Nội 2006, tr. 229-234. 123. Nguyễn Quang Liêm 2007 , Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang phổ của một vài loại chấm lượng tử để sử dụng trong k thuật đánh dấu bằng chấm lượng tử, Báo cáo nghiệm thu đề tài khoa học công nghệ cấp Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam 2005–2006. 124. Vũ Thị Kim Liên 2003 , Nghiên cứu các đặc trưng quang phổ của các nano tinh thể CdS và một số ion đất hiếm trong mạng nền thủy tinh silica, Luận án Tiến s Vật lý. Viện Vật lý, Hà Nội.
File đính kèm:
luan_an_nghien_cuu_che_tao_tinh_chat_quang_cua_cac_cham_luon.pdf